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AW402030PDNR

-20V 400mΩ P沟道 MOSFET

Product details

Parameters

Type P
VDS (V) -20
VGS (V) ±12
VGS(th) typ.(V) -0.7
RDS(ON)@10V max.(mΩ) /
RDS(ON)@4.5V max.(mΩ) 520
RDS(ON)@2.5V max.(mΩ) 780
ID (A) -0.66
Qg @10V (nC) /
Temperature -55℃~150℃
ESD YES
Package (mm) DFN 1X0.6-3L

Package | Pins | Size

DFN 1X0.6-3L

Features

沟槽工艺功率 MOSFET 低导通电阻 RDS(ON) 低栅极电荷 ESD 保护

Description

VDS RDS(ON) Typ. ID -20V 400mΩ@VGS = -4.5V -0.66A 570mΩ@VGS = -2.5V 810mΩ@VGS = -1.8V

Technical documentation

Type
Title
Language
Date
Datasheet DS_AW402030_EN_V1.0 英文   2026-09-17