负载开关内部功率管为PMOS管,通过EN脚的逻辑来控制MOS管的通断;
导通时,PMOS管的VDS电压差很小,漏电小,所以IQ小;
关断时,OUT端电压被拉低到GND,VDS电压差很大,导致漏电加大,所以ISD要大一些。