AW401005QCSR

12V Dual N-Channel MOSFET

产品手册：

在线预览 - AW401005QCSR - 产品手册

参考价格

1-99￥3.81
100-249￥3.12
250-499￥2.51
500-999￥1.98
1000+￥1.52

产品详细信息

参数

Type	Dual N
VDS (V)	12
VGS (V)	±8
VGS(th) typ.(V)	0.85
RDS(ON)@10V max.(mΩ)	/
RDS(ON)@4.5V max.(mΩ)	2.95
RDS(ON)@2.5V max.(mΩ)	6.1
ID (A)	23
Qg @10V (nC)	/
Temperature	-55℃~150℃
ESD	YES
Package (mm)	WLCSP 2.98X1.49-10L

封装 | 引脚 | 尺寸

WLCSP 2.98X1.49-10L

特性

Low source-source on resistance RSS(ON) Typ.= 2.20mΩ (VGS= 4.5V) Common-Drain type ESD Diode-Protected Gate 2kV ESD HBM Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance Applications WLCSP 2.98X1.49-10L

说明

VSSRSS(ON) Max.
12V2.95 mΩ @ VGS= 4.5V
3.35 mΩ @ VGS= 3.8V
4.20 mΩ @ VGS= 3.1V
6.10 mΩ @ VGS= 2.5V

技术文档

	类型	项目标题		语言		日期
	产品手册	DS_AW401005_EN_V1.3		英文		2025-12-01
	新品发布	艾为电子推出低导通阻抗高可靠性锂电池充电保护MOSFET		中文		2024-04-22

设计和开发

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硬件开发

评估板

AW401005QCSR EVB V1.0 — AW401005QCSR EVB V1.0用于AW401005QCSR单体参数的验证，器件Drain端、Source端和Gate端的Sense点均区别于功率路径引出，方便测试。可搭配有控制IC的EVM板进行锂电池保护功能的验证。

用于AW401005QCSR单体参数的验证

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评估板

用于AW401005QCSR单体参数的验证

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