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AWP402062QDNR

제품 상세 정보

매개변수

Type N+P
VDS (V) NMOS: 20 PMOS: -20
VGS (V) ±12
VGS(th) typ.(V) NMOS: 0.8 PMOS: -0.7
RDS(ON)@10V max.(mΩ) /
RDS(ON)@4.5V max.(mΩ) NMOS: 60 PMOS: 110
RDS(ON)@2.5V max.(mΩ) NMOS: 80 PMOS: 140
ID (A) NMOS: 3.5 PMOS: -2.3
Qg @10V (nC) /
Temperature -55℃~150℃
ESD NO
Package (mm) DFN 2X2-6L

패키지 | 핀 | 크기

DFN 2X2-6L

특징

Trench Technology Power MOSFET High Density Cell Design for Low RDS(ON) Voltage Controlled Small Signal Switch

기술 문서

유형
제목
언어
날짜
Datasheet DS_AWP402062_EN_V1.0 英文   2026-07-14