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AW406008NSTR

제품 상세 정보

매개변수

Type N
VDS (V) 60
VGS (V) ±20
VGS(th) typ.(V) 1.5
RDS(ON)@10V max.(mΩ) 2500
RDS(ON)@4.5V max.(mΩ) 3000
RDS(ON)@2.5V max.(mΩ) /
ID (A) 0.34
Qg @10V (nC) 0.29
Temperature -55℃~150℃
ESD YES
Package (mm) -3L

패키지 | 핀 | 크기

-3L

특징

Trench Technology Power MOSFET Low RDS(ON) Low Gate Charge ESD Protected

기술 문서

유형
제목
언어
날짜
Datasheet DS_AW406008_EN_V1.0 英文   2026-07-09