EN

AW406008NSTR

製品詳細

パラメータ

Type N
VDS (V) 60
VGS (V) ±20
VGS(th) typ.(V) 1.5
RDS(ON)@10V max.(mΩ) 2500
RDS(ON)@4.5V max.(mΩ) 3000
RDS(ON)@2.5V max.(mΩ) /
ID (A) 0.34
Qg @10V (nC) 0.29
Temperature -55℃~150℃
ESD YES
Package (mm) -3L

パッケージ | ピン | サイズ

-3L

特性

Trench Technology Power MOSFET Low RDS(ON) Low Gate Charge ESD Protected

技術文書

タイプ
タイトル
言語
日付
Datasheet DS_AW406008_EN_V1.0 英文   2026-07-09