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AW12022HQNR

データシート：
プレビュー - AW12022HQNR - データシート

製品詳細

パラメータ

Frequency (GHz) 0.1~6
Switch Feature DPDT
Control Interface GPIO
VDD (Min) (V) 1.65
VDD (Max) (V) 3.3
VIO (Min) (V) /
VIO (Max) (V) /
P0.1dB (dBm) 38.5
IL (Min) (dB) 0.27
IL (Max) (dB) 0.65
ISO (Max) (dB) 33
ISO (Min) (dB) 17
Temperature -40℃~105℃
Package (mm) QFN 1.5X1.1-10L

パッケージ | ピン | サイズ

WBQFN 1.5X1.1-10L(0.45)

特性

The AW12022HQNR is a Silicon-On-Insulator(SOI) DPDT switch with low insertion loss and high Isolation. It can be used to support band switching and mode switching for cellular 4G/5G, data cards and tablets. The symmetrical design of internal ports makes it convenient for PCB routing and adjustment of receiving and transmitting signals. The band/mode switching is realized by the GPIO pin as referenced in the chip block diagram and the control logic. The chip allows power-supply voltages from 1.65V to 3.3V and the positive control voltages from 0.75V to VDD.

技術文書
タイプ
タイトル
言語
日付
Datasheet DS_AW12022HQNR_EN_V1.0 英文   2024-05-24
Product Design Guide AW12022HQNR Hardware Design Guide 英文   2024-07-02
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設計と開発

追加の条件や必要なリソースについては、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

ハードウェア開発

評価ボード

AW12X22_EVB_V1.3 — This EVB is used to evaluate the performance of DPDT, including S-parameters, harmonics, P0.1dB, and other metrics.

Performance Evaluation for DPDT Switches with GPIO Interface

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ハードウェア開発

評価ボード

AW12X22_EVB_V1.3 — This EVB is used to evaluate the performance of DPDT, including S-parameters, harmonics, P0.1dB, and other metrics.

Performance Evaluation for DPDT Switches with GPIO Interface

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