AWP410020PTOR

100V P 沟道 MOSFET

参考价格
  • 1-99¥4.36
  • 100-249¥3.58
  • 250-499¥2.88
  • 500-999¥2.27
  • 1000+¥1.75

产品详细信息

参数

Type P
VDS (V) -100
VGS (V) ±20
VGS(th) typ.(V) -2.2
RDS(ON)@10V max.(mΩ) 127
RDS(ON)@4.5V max.(mΩ) /
RDS(ON)@2.5V max.(mΩ) /
ID (A) -17
Qg @10V (nC) 48
Temperature -55℃~150℃
ESD NO
Package (mm) TO252-2L

封装 | 引脚 | 尺寸

TO252-2L

特性

沟槽技术功率 MOSFET 低 RDS(ON) 低栅极电荷 低栅极电阻 100% ΔVDS 测试

说明

VDS RDS(ON) Typ. ID -100V 100mΩ @ VGS = -10V -17A

技术文档

类型
项目标题
语言
日期
产品手册 DS_AWP410020_CN_V1.0 中文   2026-09-17
产品手册 DS_AWP410020_EN_V1.0 英文   2026-09-17