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AWP402075NDNR

20V 6.0mΩ N 沟道 MOSFET

产品手册：

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产品详细信息

参数

Type	N
VDS (V)	20
VGS (V)	±12
VGS(th) typ.(V)	0.7
RDS(ON)@10V max.(mΩ)	/
RDS(ON)@4.5V max.(mΩ)	8.0
RDS(ON)@2.5V max.(mΩ)	11.0
ID (A)	15
Qg @10V (nC)	/
Temperature	-55℃~150℃
ESD	NO
Package (mm)

封装 | 引脚 | 尺寸

特性

沟槽技术低 RDS(ON) 低栅极电荷

说明

VDS RDS(ON) Typ. ID 20V 6.0mΩ@VGS = 4.5V 15A 6.6mΩ@VGS = 4.0V 6.7mΩ@VGS = 3.8V 7.2mΩ@VGS = 3.1V 7.0mΩ@VGS = 2.5V

技术文档

	类型	项目标题		语言		日期
	产品手册	DS_AWP402075_CN_V1.0		中文		2026-09-22
	产品手册	DS_AWP402075_EN_V1.0		英文		2026-09-22