AW86561DNR

High Sensitivity Micropower Linear Hall-effect Sensor

产品手册：

在线预览 - AW86561DNR - 产品手册

参考价格

1-99￥4.23
100-249￥3.47
250-499￥2.79
500-999￥2.20
1000+￥1.69

产品详细信息

参数

Output Type	Analog
VDD (Min) (V)	2.5
VDD (Max) (V)	5.5
Sensitivity (mV/Gs)	2.5
Sleep Current (μA)	1
BandWidth (kHz)	10
Noise(mVrms)	0.96
Temperature	-40℃~125℃
linearity(%)	±1%
Package (mm)	DFN 3X2-6L

封装 | 引脚 | 尺寸

WBDFN 3X2-6L(0.75)

特性

Ratiometric linear hall effect magnetic sensor. Analog output with VREF / 2 quiescent offset High-impedance output during sleep mode. Operates from 2.5V and 5.5V power supplies Low-Power Sleep Mode With 0.6μA Maximum Sleep Current Sensitivity selection ： AW86560DNR: 1.25mV/Gs AW86561DNR: 2.50mV/Gs AW86562DNR: 5.00mV/Gs AW86563DNR: 10.0mV/Gs Reference voltage (VREF pin). Temperature-stable quiescent voltage output and sensitivity Wide operating temperature range : -40°C to 125°C WBDFN 3mm×2mm×0.75mm-6L package

说明

The AW8656XDNR are linear Hall effect IC that
respond proportionally to magnetic flux density..
The quiescent output voltage of these devices is
50 % nominal of the ratiometric supply reference
voltage applied to the VREF pin of the device.
The AW8656XDNR consume 2.6 mA of current in
the active mode. minimize current consumption to
less than 1 μA through the addition of a userselectable
sleep mode.
The AW8656XDNR features magnet temperature
compensation to counteract how magnets drift for
linear performance across a wide –40°C to +125°C
temperature range. Device options for no
temperature compensation of magnet drift are also
available.
The AW8656XDNR are available in 6 pin DFN and
are rated over –40°C to +125°C. The package is
available in a lead (Pb)free version.

技术文档

类型	项目标题	语言	日期
产品设计指南	AW8656XDNR 硬件设计指南	中文	2023-08-21
产品设计指南	AW8656XDNR Hardware Design Guide	英文	2023-11-22
产品手册	DS_AW8656XDNR_EN_V1.1	英文	2024-04-25

设计和开发

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硬件开发

评估板

AW8656XDNR EVB V2.0 — AW8656XDNR EVB 是艾为线性霍尔EVB评估板，可实现单芯片功能演示，以及用于磁场发生器结构适配通用评估板

使用于线性霍尔的EVB评估板

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软件开发

应用软件和框架

DATA_FITTING_GUI — 霍尔数据拟合调试工具

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