AW86561CDNR

High Sensitivity Micropower Linear Hall-effect Sensor

产品手册：

在线预览 - AW86561CDNR - 产品手册

参考价格

1-99￥2.31
100-249￥1.89
250-499￥1.52
500-999￥1.20
1000+￥0.92

产品详细信息

参数

Output Type	Analog
VDD (Min) (V)	2.5
VDD (Max) (V)	5.5
Sensitivity (mV/Gs)
Sleep Current (μA)	1.5
BandWidth (kHz)	10
Noise(mVrms)	0.96
Temperature	-40℃~125℃
linearity(%)	±1
Package (mm)	DFN 3X2-6L

封装 | 引脚 | 尺寸

DFN 3X2-6L

特性

Ratiometric linear hall effect magnetic sensor. Analog output with VREF / 2 quiescent offset High-impedance output during sleep mode. Operates from 2.5V and 5.5V power supplies Less than 1.5μA power consumption in the sleep mode. Sensitivity selection AW86561CDNR: 2.50mV/Gs Reference voltage (VREF pin). Temperature-stable quiescent voltage output and sensitivity Wide operating temperature range: -40℃ to 125℃ WBDFN 3mm X 2mm X 0.75mm-6L package

技术文档

	类型	项目标题		语言		日期
	产品设计指南	AW86561CDNR 硬件设计指南		中文		2025-03-07
	产品手册	DS_AW86561CDNR_EN_V1.0		英文		2025-03-20

设计和开发

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硬件开发

评估板

AW8656XDNR EVB V2.0 — AW8656XDNR EVB 是艾为线性霍尔EVB评估板，可实现单芯片功能演示，以及用于磁场发生器结构适配通用评估板

使用于线性霍尔的EVB评估板

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评估板

AW8656XDNR EVB V2.0 — AW8656XDNR EVB 是艾为线性霍尔EVB评估板，可实现单芯片功能演示，以及用于磁场发生器结构适配通用评估板

使用于线性霍尔的EVB评估板

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