| Type | N |
| VDS (V) | 30 |
| VGS (V) | ±20 |
| VGS(th) typ.(V) | 1.8 |
| RDS(ON)@10V max.(mΩ) | 13 |
| RDS(ON)@4.5V max.(mΩ) | 15 |
| RDS(ON)@2.5V max.(mΩ) | / |
| ID (A) | 12 |
| Qg @10V (nC) | 28 |
| Temperature | -55℃~150℃ |
| ESD | NO |
| Package (mm) | DFN 2X2-6L |
| DFN 2X2-6L |
|
类型
|
项目标题
|
语言
|
日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 产品手册 | DS_AW403001_EN_V1.2 | 英文 | 2023-06-06 | |||
| 产品设计指南 | AW4030XXNDNR / AW40400XNDNR硬件设计指南 | 中文 | 2025-03-17 | |||
| Checklist | CL_客户_项目_MOS_Customer_CN_V1.0 | 中文 | 2026-02-02 |
评估板
MOS DFN2.0x2.0-6L V1.0 — MOS DFN2.0x2.0-6L V1.0可用于 DFN2.0x2.0-6L封装的单体参数验证，器件Drain端、Source端和Gate端的Sense点均区别于功率路径引出，方便测试
可用于 DFN2.0x2.0-6L封装功率MOSFET单体参数的验证
评估板
MOS DFN2.0x2.0-6L V1.0 — MOS DFN2.0x2.0-6L V1.0可用于 DFN2.0x2.0-6L封装的单体参数验证，器件Drain端、Source端和Gate端的Sense点均区别于功率路径引出，方便测试
可用于 DFN2.0x2.0-6L封装功率MOSFET单体参数的验证
沪ICP备10011954号 |
沪公网安备 31011202011955号
