产品简介
AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR是30V/40V耐压，封装形式DFN2×2-6L、DFN3*3的N-Channel Power MOSFET。
AW4030XXNDNR包含五款产品：
· AW403001NDNR
· AW403002NDNR
· AW403009NDNR
· AW403029NDNR
· AW403008NDNR
AW40400XNDNR包含两款产品：
· AW404001NDNR
· AW404002NDNR
AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR作为开关，漏源耐压分别为30V和40V，栅源耐压高至±20V，RDS(ON)提供不同档位供客户挑选，灵活匹配不同的应用场景，如手机和笔记本电脑Charger、同步整流、电机驱动等。
产品规格主要参数
图1 AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR参数列表
封装信息
图2 DFN2*2封装外形图及管脚定义
典型应用图
以下列举了该系列MOSFET在快充充电器、手机充电、笔电充电场景中的典型方案应用图。
01AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR
快充充电器方案应用
AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR在快充充电器中主要在变压器次级输出端VBUS供电线路上起保护作用，应用原理如图3所示。
图3 AW4030XXNDNR & AW40400XDNR
手机充电方案应用电路图
02 AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR
手机充电方案应用
AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR在手机充电应用原理示意图如图4所示：
(1)充电MOSFET在有线充电线路中起到单MOSOVP作用；
(2)为实现有线双向充放电和阻断反灌电流，应用时采用背靠背接法（两个单NMOS共源极串联）
多有线充电线路充电方案中，可利用多路串、并联MOSFET的方法来实现充电线路的选择。
图4 AW4030XXNDNR & AW40400XNDNR
手机充电方案应用电路图
03 AW4030XXNDNR笔电方案应用
AW4030XXNDNR在笔电中应用原理图如图5所示，MOSFET作为DC-DC中的核心部分，在升压和降压拓扑结构中均会用到。笔电由适配器和电池供电，适配器的典型输出电压19.5V，电池的输出电压为10.8V或14.4V，通常都需要被降压来为主板的各部分供电，因此在笔电中含有较多的BUCK电路。前级的Charger也可采用BUCK-BOOST架构实现双向充电，在笔电中功率MOSFET用量较大。AW4030XXNDNR单体在MHz频段开关特性良好，通常选择低RDS(ON)和低Qg的MOSFET提高开关电源效率。
图5 AW4030XXNDNR笔电方案应用原理图
应用场景
AW4030XXNDNR和AW40400XDNR常以保护电路、同步整流等目的，应用于手机、快充充电器、无线充电、笔记本电脑、电源适配器和电动工具等设备。
主要特点
AW4030XXNDNR和AW40400XDNR具有小型化封装，节省占板面积，导通阻抗低，热耗散小的特点，在同种封装下，与市场同类产品类比参数优势明显。
表2：DFN2*2充电MOS主要参数对比表
表3：DFN3*3充电MOS主要参数对比表
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