随着手机摄影功能的日益增强和用户对于拍摄体验的不断追求,中高端智能手机在摄像头配置上进行了大量升级。为了丰富焦段、提升成像质量,摄像头的数量不断增加,这也使得供电方案成为了一个亟待解决的问题。
每个摄像头模组都需要稳定、可靠的多路电源支持,以确保拍摄时的清晰度和稳定性。传统的单路LDO供电方案在初期确实能够满足供电需求,但随着摄像头数量的攀升,其缺点也愈发明显。单路LDO外围不仅器件数量多,占板面积大,还增加了手机的制造成本,非常不利于市场竞争。
针对该问题,艾为电子推出一款4通道LDO PMIC——AW37004DNR,它集成了2路DVDD,2路AVDD,专为多个摄像头供电设计,通过集成化设计,在节约成本的同时,还大大减少了外围器件的数量,节省了内部空间,有效解决了当下手机布局面积紧张的问题。此外,AW37004DNR具有1MHz高速I²C接口,并且该芯片功能设置灵活,可配置输出电压、上电时序、输出放电等,可满足摄像头模组的各种需求,是当前摄像头传感器应用的理想选择。
AW37004DNR 产品介绍
- AW37004DNR主要参数 -
● VIN1供电电压范围:0.6V~2V
● DVDD输出电压范围:0.6V~1.8V
● DVDD Dropout电压:100mV@0.8A
● DVDD驱动能力:1A (可通过I²C配置到1.3A)
● VIN2供电电压范围:3V~5.5V
● AVDD输出电压范围:1.2V~4.3V
● VIN2静态电流:65µA
● VIN2关机电流:0.25µA
● AVDD Dropout电压:98mV@0.3A
● AVDD驱动能力:0.3A (可通过I²C配置到0.6A)
● AVDD PSRR:92dB(Freq=1KHz)
● AVDD Noise:10µVrms(IOUT=30mA)
● 封装:DFN 2mm*2mm*0.75mm-10L package
图1 AW37004DNR封装信息
图2 AW37004DNR典型应用图
图3 AW37004DNR应用场景
产品优势
1. 集成度高,面积小
AW37004DNR集成了2路DVDD,2路AVDD,与传统的4个单路LDO相比,大大减少了所需的外围元件,使得电路设计更加简洁,外围元件的减少,设计师在布局电路板时也能够更加灵活,高效的利用空间。如图,采用AW37004DNR的电路板方案相比使用四个单路LDO的方案,布局面积能够减少约25%,物料数量减少一半。
图4 采用AW37004DNR的电路板方案
与四个单路LDO的方案效果对比
2. DVDD高负载电流、低输入电压
AW37004DR DVDD的负载电流最小1A,可通过I²C配置至1.3A ,高负载电流就意味着高驱动能力。在摄像头模组中,高驱动能力使得系统有更快的启动速度,更流畅的预览和录制体验。高驱动能力能够保证在高分辨率模式下,摄像头模组能够获得稳定的电源供应,从而实现高速数据传输、高帧率的拍摄或复杂的图像处理。另外,高驱动能力还能够支持摄像头模组在高像素密度下正常工作,避免因电流不足导致性能下降或故障。
但是,高分辨率和高像素密度可能会增加功耗,而DVDD采用N-MOSFET LDO架构以及不带电荷泵的设计,在降低输入电压的同时提高效率,从而一定程度上降低了功耗,实现能效比的优化。
3. AVDD 高电源抑制比
摄像头作为捕捉图像的关键设备,对于电源的稳定性有着极高的要求。纹波,即电源线上的微小波动,如果得不到有效抑制,会直接影响摄像头的成像质量。AW37004DNR AVDD采用的P-MOSFET LDO架构,通过多级级联电源的设计,显著增强了纹波的抑制效果,而大的带宽特性,更是让AW37004DNR在应对各种频率的干扰时表现出色。无论是高频还是低频的干扰信号,它都能进行有效处理,确保电源的稳定性不受影响,下图为AVDD的PSRR曲线。