A：根据使用说明文档，AW86020解锁时必须先处于standby状态（0x00写0x88），当处于active状态时单独解锁了0x5A寄存器，会把0x2E，0x2F，0x30锁给锁上，因此需要注意AW86020解锁时的工作状态。
A：AF数据是10bit的，其中0x0009寄存器为高2bit，0x000A寄存器为低8bit。写入AF数据有两种方式，向0x0009寄存器连写两个字节或先写0x000A寄存器，再写0x0009寄存器，写入0x0009寄存器触发AF数据生效。因此如果分开写AF code时，应该先写0x000A寄存器，再写0x0009寄存器。
A：Haptic波形文件参数一般由三部分组成：版本号（固定1byte）、波形头地址信息（两字节起始地址、两字节结束地址）、波形数据，详细见芯片的规格书，如下图以AW86938举例：
下图是一个波形文件，应该如何解析从而判断波形文件正常？
红框表示波形版本号，固定占1字节；蓝框表示波形的起始地址和结束地址，起始地址高位为0x04，表示起始地址是从0x0400开始，低位为0x05，表示头文件信息占5字节（版本号、波形地址）；（0x0491-0x0405）+1=141，结束地址减去起始地址可以计算出波形data大小为141字节。
A：为了避免电池低电量时马达抽大电流导致VBAT跌落整机异常关机，AW8693X系列新增VBAT_PRO功能。在震动过程中每当芯片检测到电池电压低于设定阈值时，AW8693X将立即降低输出增益；每当检测到电池电压高于当前档位设定阈值时，输出增益将在波形过零点恢复到上一档增益。
VBAT_PRO功能共可降低4档增益，Boost模式下每档降低为当前档位增益的75%，Bypass模式下每档降低50%；
如增益连续降低三档增益后电池电压仍低于第三档设定阈值，则会关闭波形输出，如下图：
电池电压每恢复一档，则在波形输出过零点位置恢复为上一档增益，如下图：
VBAT_PRO功能使能由0x4C bit7配置；第一档触发电压由0x4C bit1:0配置，3.2V~3.5V可配；每档电压步进由
0x4C bit4配置，即在第一档触发电压基础上每0.1V或0.2V为一档，具体如下：
A：线性马达驱动芯片的瞬时功耗与负载阻抗和输出波形幅度均相关，简单举例：相同马达驱动芯片以相同输出波形驱动阻抗不同的马达时，功耗不同；以不同的驱动波形驱动相同的马达，功耗也不同。由于不存在固定的使用条件，datasheet无法给出确切的功耗数据。
由于短震波形时长一般为十几到几十毫秒，为瞬发功耗；如需评估线性马达平均功耗，建议以马达长震场景进行估算，以下为举例：
假设马达额定电压即芯片输出给马达的电压Uout=1.2Vrms，马达直流阻为8ohm，则输出功率：
Pout=Uout^2/Rload=0.18W
Haptic芯片效率典型值取80%，则电源端输入功率：
Pin=Pout/80%=0.225W
如电源电压Vin=4V，则输入端平均电流：
Iin=Pin/Vin=56.25mA
说明：如上图所示，boost设置有两个位置，其中BST_MODE作用于RAM/CONT/RTP/I2S播放模式下；
TRGx_BST作用于Onewire与Trig mode下。
客户反馈ois on后可以获取gyro数据，但整机上确认无防抖效果
进一步确认F300寄存器状态，此时处于servo on 状态
解决方案：ois on之前servo on off，xml配置供参考
需要整机对ICM45631开启AUX 3线spi功能，aw86006才能识别
r 0x71 1字节 //获取 who am i 是否是0x09
w 0x2c 0x20 //选择主接口配置功能
w 0x2e 0x00 //配置AUX接口为3线spi
r 0x2e 1字节 //回读是否写成功
w 0x30 0x13 //使能AUX接口
r 0x30 1字节 //回读是否写成功
w 0x54 0x03 //使能gyro和accl
w 0x55 0x24 //配置gyro odr为250，accl为2g
w 0x2c 0x00 //关闭主接口配置功能a
A：AW862xx最大供电电压为5.5V，支持最小负载阻抗为5Ω，所以最大输出电流Imax = 5.5 / (5 + Rdson)。
具体型号对应的最大输出电流如下表所示：
AW862xx系列芯片最大输出电流对应表
1.先确保芯片三路供电IOVDD AVDD VMVDD供电正常(一般开启相机切换到主摄或长焦)
2.确保芯片固件算法能够正常启动，读到稳定运行标志（standby_flag:1）
确认方法：举例异步设备地址0x61[7bit] r 0xff11 1byte,看是否为1.
3.基于1&2条件下在进行AF功能配置(通过同步i2c地址配置,以下举例0x69[7bit])
0x69 w ff1f 0xae //解锁 0x69 w ff11 0x02 //active mode 0x69 w 0x0009~0x000a //写入target 0x0009:bit9~8, 0x000a：bit7~bit0
A:
1、固定放电模式：
①固定放电模式有D1，D0两个引脚控制，总共9种模式。
②slow放电纹波小，但是无法抑制反向电动势，在转速较快时，Sine波形会失真；Fast放电模式能够抑制反向电动势，但是会增大纹波。
2、自适应放电算法（推荐）：
①ADECAY为自适应放电模式选择引脚，高电平有效，低电平时放电模式由D0，D1控制， ADECAY引脚必须要在NSLEEP为低电平时设置。
②自动检测电流，电流符合预期Sine波形时，用slow放电；波形失真时，用Fast放电迅速将电流校准回来。兼顾电流纹波与反向电动势
一些客户在mcu系统上编码时，反馈i2c读chip_id操作正常，写操作也无异常日志打印。
1.某客户对i2c设备地址0x5a ,0x03寄存器写入0x59数据异常操作。
【i2c设备地址写操作+寄存器地址+i2c设备地址写操作+数据】，不符合i2c写规范，无实际有效数据写入到寄存器
2.艾为测试正常写时序【i2c设备地址写操作+寄存器地址+数据】
1.新马达规格书说明
变更马达后，代码中应修改以下两个参数：额定电压（Rated Voltage）、额定频率（Rated Frequency）。以某电机为例，额定电压为1.8 Vrms，额定频率为205Hz。
2.代码配置
以aw8692x为例，打开aw8692x.c文件，需修改以下两处参数：
（1）修改f0_pre的参数为2050，f0_pre = Rated Frequency * 10。
（2）修改cont_lra_vrms参数为1800，cont_lra_vrms = Rated Voltage * 1000。
以aw862xx为例，打开haptic_nv.dtsi文件，需修改以下两处参数：
（1）修改f0_pre的参数为2050， f0_pre = Rated Frequency * 10。
（2）修改lra_vrms参数为1800， lra_vrms = Rated Voltage * 1000。
1.新马达规格书说明
变更马达后，代码中应修改以下两个参数：额定电压（Rated Voltage）、额定频率（Rated Frequency）。以某电机为例，额定电压为1.8 Vrms，额定频率为205Hz。
2.代码配置
以aw8692x为例，打开haptic_hv.dtsi文件，需修改以下两处参数：
（1）修改f0_pre的参数为2050，f0_pre = Rated Frequency * 10。
（2）修改aw8692x_cont_lra_vrms参数为1800， aw8692x_cont_lra_vrms = Rated Voltage * 1000。
以aw862xx为例，打开haptic_nv.dtsi文件，需修改以下两处参数：
（1）修改aw862xx_vib_f0_pre的参数为2050，aw862xx_vib_f0_pre = Rated Frequency * 10。
（2）修改aw862xx_vib_lra_vrms参数为1800， aw862xx_vib_lra_vrms = Rated Voltage * 1000。
A：视每个型号的 OUTPUT 脚位的架构。艾为有3种架构，介绍如下。
1. Open Drain 架构需外接100KΩ上拉。
2. Push-Pull 架构不需要外接电阻上拉。
3. 内部 Open Drain 架构已上拉，不需要外接电阻上拉。
以下是艾为3种 OUTPUT PIN 架构图以及参考设计。
Open Drain架构
Open Drain架构的参考设计，需接上拉电阻
Push Pull架构
内部Open Drain架构，内部已有上拉
Push Pull架构的参考设计，不需接上拉电阻
以下表格供快速参考
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