EN

AWP406036NDNR

製品詳細

パラメータ

Type N
VDS (V) 60
VGS (V) ±20
VGS(th) typ.(V) 1.5
RDS(ON)@10V max.(mΩ) 2500
RDS(ON)@4.5V max.(mΩ) 3000
RDS(ON)@2.5V max.(mΩ) /
ID (A) 0.34
Qg @10V (nC) 1.45
Temperature -55℃~150℃
ESD YES
Package (mm) DFN 1X0.6-3L

パッケージ | ピン | サイズ

DFN 1X0.6-3L

特性

Trench Technology Power MOSFET Low RDS(ON) Low Gate Charge ESD Protect

技術文書

タイプ
タイトル
言語
日付
Datasheet DS_AWP406036_EN_V1.1 英文   2026-04-10