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AWP402069PDNR

製品詳細

パラメータ

Type P
VDS (V) -20
VGS (V) ±10
VGS(th) typ.(V) -0.6
RDS(ON)@10V max.(mΩ) /
RDS(ON)@4.5V max.(mΩ) 4.4
RDS(ON)@2.5V max.(mΩ) 5.6
ID (A) -70
Qg @10V (nC) /
Temperature -55℃~150℃
ESD NO
Package (mm) DFN 3.3X3.3-8L

パッケージ | ピン | サイズ

DFN 3.3X3.3-8L

特性

Trench Technology Power MOSFET Low RDS(ON) Low Gate Charge Low Gate Resistance 100% UIS Tested

技術文書

タイプ
タイトル
言語
日付
Datasheet DS_AWP402069_EN_V1.0 英文   2026-04-15