AW86563DNR

High Sensitivity Micropower Linear Hall-effect Sensor

产品手册：

在线预览 - AW86563DNR - 产品手册

参考价格

1-99￥4.61
100-249￥3.78
250-499￥3.05
500-999￥2.40
1000+￥1.85

产品详细信息

参数

Output Type	Analog
VDD (Min) (V)	2.5
VDD (Max) (V)	5.5
Sensitivity (mV/Gs)	10
Sleep Current (μA)	1
BandWidth (kHz)	10
Noise(mVrms)	4.25
Temperature	-40℃~125℃
linearity(%)	±1%
Package (mm)	DFN 3X2-6L

封装 | 引脚 | 尺寸

WBDFN 3X2-6L(0.75)

特性

Ratiometric linear hall effect magnetic sensor. Analog output with VREF / 2 quiescent offset High-impedance output during sleep mode. Operates from 2.5V and 5.5V power supplies Low-Power Sleep Mode With 0.6μA Maximum Sleep Current Sensitivity selection ： AW86560DNR: 1.25mV/Gs AW86561DNR: 2.50mV/Gs AW86562DNR: 5.00mV/Gs AW86563DNR: 10.0mV/Gs Reference voltage (VREF pin). Temperature-stable quiescent voltage output and sensitivity Wide operating temperature range : -40°C to 125°C WBDFN 3mm×2mm×0.75mm-6L package

技术文档

类型	项目标题	语言	日期
产品设计指南	AW8656XDNR 硬件设计指南	中文	2023-08-21
产品设计指南	AW8656XDNR Hardware Design Guide	英文	2023-11-22
产品手册	DS_AW8656XDNR_EN_V1.1	英文	2024-04-25

设计和开发

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硬件开发

评估板

AW8656XDNR EVB V2.0 — AW8656XDNR EVB 是艾为线性霍尔EVB评估板，可实现单芯片功能演示，以及用于磁场发生器结构适配通用评估板

使用于线性霍尔的EVB评估板

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硬件开发

评估板

AW8656XDNR EVB V2.0 — AW8656XDNR EVB 是艾为线性霍尔EVB评估板，可实现单芯片功能演示，以及用于磁场发生器结构适配通用评估板

使用于线性霍尔的EVB评估板

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