AW403010QCSR

30V Dual N-Channel MOSFET

产品手册：

在线预览 - AW403010QCSR - 产品手册

参考价格

1-99￥5.38
100-249￥4.41
250-499￥3.55
500-999￥2.80
1000+￥2.15

产品详细信息

参数

Type	Dual N
VDS (V)	30
VGS (V)	±20
VGS(th) typ.(V)	1.6
RDS(ON)@10V max.(mΩ)	8.5
RDS(ON)@4.5V max.(mΩ)	12
RDS(ON)@2.5V max.(mΩ)	/
ID (A)	13
Qg @10V (nC)	33.4
Temperature	-55℃~150℃
ESD	YES
Package (mm)	WLCSP 3.37X1.47-10L

封装 | 引脚 | 尺寸

WLCSP 3.37X1.47-10L

特性

Low source-source on resistance:
RSS(ON) Typ.= 7.0mΩ (VGS= 10V)
Common-Drain type
ESD Diode-Protected Gate
2kV ESD HBM
Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance Applications
WLCSP 3.37mmX1.47mmX0.205mm-10L

说明

VSSRSS(ON) Typ.
30V7.0 mΩ @ VGS= 10V
10.0 mΩ @ VGS= 4.5V

技术文档

	类型	项目标题		语言		日期
	产品手册	DS_AW403010_EN_V1.3		英文		2023-06-06
	新品发布	艾为电子推出笔电端口保护MOSFET		中文		2024-08-23

设计和开发

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硬件开发

评估板

Dual MOS WLCSP-10L V1.0 — Dual MOS WLCSP-10L V1.0可用于 WLCSP-10L封装的单体参数验证，器件Drain端、Source端和Gate端的Sense点均区别于功率路径引出，方便测试

可用于AW403010QCSR单体参数的验证

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Dual MOS WLCSP-10L V1.0 — Dual MOS WLCSP-10L V1.0可用于 WLCSP-10L封装的单体参数验证，器件Drain端、Source端和Gate端的Sense点均区别于功率路径引出，方便测试

可用于AW403010QCSR单体参数的验证

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