| Type | N |
| VDS (V) | 30 |
| VGS (V) | ±20 |
| VGS(th) typ.(V) | / |
| RDS(ON)@10V max.(mΩ) | 2.2 |
| RDS(ON)@4.5V max.(mΩ) | 3.1 |
| RDS(ON)@2.5V max.(mΩ) | / |
| ID (A) | 92 |
| Qg @10V (nC) | 82 |
| Temperature | -55℃~150℃ |
| ESD | NO |
| Package (mm) | DFN 3.3X3.3-8L |
| DFN 3.3X3.3-8L |
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类型
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项目标题
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语言
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日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 产品手册 | DS_AW403008_EN_V1.1 | 英文 | 2023-06-06 | |||
| Checklist | CL_客户_项目_MOS_Customer_CN_V1.0 | 中文 | 2026-02-02 |
评估板
MOS DFN3.3x3.3-8L V1.0 — MOS DFN3.3x3.3-8L V1.0可用于DFN3.3x3.3-8L封装的参数验证，器件Drain端、Source端和Gate端的Sense点均区别于功率路径引出，方便测试
可用于DFN3.3x3.3-8L封装功率MOSFET单体参数的验证
评估板
MOS DFN3.3x3.3-8L V1.0 — MOS DFN3.3x3.3-8L V1.0可用于DFN3.3x3.3-8L封装的参数验证，器件Drain端、Source端和Gate端的Sense点均区别于功率路径引出，方便测试
可用于DFN3.3x3.3-8L封装功率MOSFET单体参数的验证
沪ICP备10011954号 |
沪公网安备 31011202011955号
