AW401005SQCSR

12V Dual N-Channel MOSFET

产品手册：

在线预览 - AW401005SQCSR - 产品手册

参考价格

1-99￥3.77
100-249￥3.09
250-499￥2.49
500-999￥1.96
1000+￥1.51

产品详细信息

参数

Type	Dual N
VDS (V)	12
VGS (V)	±8
VGS(th) typ.(V)	0.85
RDS(ON)@10V max.(mΩ)	/
RDS(ON)@4.5V max.(mΩ)	2.95
RDS(ON)@2.5V max.(mΩ)	6.10
ID (A)	23
Qg @10V (nC)	/
Temperature	-55℃~150℃
ESD	YES
Package (mm)	WLCSP 2.98X1.49-10L

封装 | 引脚 | 尺寸

WLCSP 2.98X1.49-10L

特性

Low source-source on resistance
RSS(ON) Typ.= 2.20mΩ (VGS= 4.5V)
Common-Drain type
ESD Diode-Protected Gate
2kV ESD HBM
Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance Applications
WLCSP 2.98mmX1.49mmX0.11mm-10L

技术文档

	类型	项目标题		语言		日期
	产品手册	DS_AW401005S_EN_V1.1		英文		2023-12-11

设计和开发

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硬件开发

评估板

AW401005QCSR EVB V1.0 — AW401005QCSR EVB V1.0用于AW401005QCSR单体参数的验证，器件Drain端、Source端和Gate端的Sense点均区别于功率路径引出，方便测试。可搭配有控制IC的EVM板进行锂电池保护功能的验证。

用于AW401005QCSR单体参数的验证

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用于AW401005QCSR单体参数的验证

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