AW20198S芯片有以下优化方案，建议优先选择前三种方案。
1、SLEW RATE
1)通过增加CS1~CS18的开关过渡时间，来降低电磁干扰。
2)0x2B寄存器bit[2:0] 根据需求可写000~111，表示从时间最小到最大。
2、展频功能
1)通过将电磁发射总能量扩展到更宽的频带范围（本质是PWM频率变化），从而降低电磁干扰的峰值能量。展频范围越大，相当于将高频信号扩散到更大范围，对EMI抑制越好；
2)0x28寄存器bit4写1，使能展频功能；
3)0x28寄存器bit[3:2]根据需求可写00/01/10/11，对应的展频范围为5%，15%，25%，35%；
3、相位延迟
1)通过将6通道一组相位相差60度，使同时只有部分通道开通，来降低EMI干扰。支持6组相延迟、反相和三相模式。
2)0x29寄存器bit[1:0]写入00，开启6组PWM相位延迟模式，即18个led中只有3个同时开灯。
4、相位翻转
1)0x29寄存器bit[1:0]写入01，开启反相模式，偶数通道的PWM相位会根据相位延迟进行反相。
5、三相模式
1)0x29寄存器bit[1:0]写入10或11，开启三相模式。相位延迟、反相和三相模式同时减少了led的开启次数，有利于降低输入电流纹波。
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