EN

AW406004NSTR

製品詳細

パラメータ

Type N
VDS (V) 60
VGS (V) ±20
VGS(th) typ.(V) /
RDS(ON)@10V max.(mΩ) 2500
RDS(ON)@4.5V max.(mΩ) 3000
RDS(ON)@2.5V max.(mΩ) /
ID (A) 0.3
Qg @10V (nC) 1.17
Temperature -55℃~150℃
ESD YES
Package (mm) SOT363-6L

パッケージ | ピン | サイズ

SOT-6L

特性

Advanced Trench Process Technology
Low On-Resistance
Low Gate Charge
ESD Protected
SOT-363 2.1mmX2.3mmX1mm-6L Package

技術文書

タイプ
タイトル
言語
日付
Datasheet DS_AW406004_EN_V1.0 英文   2023-06-06
Product Design Guide Signal MOSFET硬件设计指南 中文   2023-06-21