EN

AW406001NSTR

製品詳細

パラメータ

Type N
VDS (V) 60
VGS (V) ±20
VGS(th) typ.(V) 1.5
RDS(ON)@10V max.(mΩ) 2500
RDS(ON)@4.5V max.(mΩ) 3000
RDS(ON)@2.5V max.(mΩ) /
ID (A) 0.34
Qg @10V (nC) 1.17
Temperature -55℃~150℃
ESD YES
Package (mm) SOT23-3L

パッケージ | ピン | サイズ

SOT23-3L

特性

Trench Technology Signal MOSFET
Low On-Resistance
Low Gate Charge
ESD Protected
SOT23-3L Package

技術文書

タイプ
タイトル
言語
日付
Product Design Guide Signal MOSFET硬件设计指南 中文   2023-06-21
Datasheet DS_AW406001_EN_V1.1 英文   2023-07-25