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艾为电子推出低导通阻抗高可靠性锂电池充电保护MOSFET

2024-04-22



手机在我们工作和生活中扮演了非常重要的角色,随着手机屏幕亮度和刷新率的提高。手机续航问题已成了当前用户的一个痛点,为了缓解这个问题。快充在手机中快速普及,充电功率高达上百瓦。



AW401005QCSR是一款专为手机锂电池充电保护设计的共漏极双MOSFET器件,可适用于33W至100W手机充电功率的应用
 
▶ 产品规格主要参数
Package:CSP-10L
BVss >12V
BVgs >±8V
Rss(on) typ. 2.2mΩ(Vgs 4.5V)
2kV ESD HBM
WLCSP 2.98mm*1.49mm*0.11mm-10L

该产品特别使用了艾为第四代CSP抗水汽结构,极大程度地解决了以往CSP芯片贴板后容易在高温水汽环境下的失效问题,现已通过客户端的可靠性验证。

封装信息


典型应用图




应用场景




产品主要优势


AW401005QCSR具备优异的参数平衡性,兼顾应用场景的广泛性与器件的可靠性。在相同环境下,AW401005QCSR与市面竞品从导通电阻、耐压(漏电)、开关速度、雪崩电流,雪崩能量几个维度进行赛马,归一化得分表如下图所示,艾为蓝色线框为AW401005QCSR,灰色点线框为市面竞品,可以看出AW401005QCSR在各维度都表现优秀。