曙光 发表于 2022-11-18 11:27:44

mos的内阻、寄生电容、耐压等参数间如何相互关联

如题，哪些参数是正相关，哪些是负相关的，比如内阻做小是否一定寄生电容偏大呢，可以一起讨论下

大君 发表于 2022-11-27 15:13:00

对于相同的工艺来说（比如同样是Trench MOS）
1.VDS越高，RDSon越大；主要是PN结浓度不同造成的。我们通过实测就可以知道，60V MOS导通阻抗一般比20V MOS要大
2.VGS越高，RDSon越大；可以简单的理解为：栅氧越厚，VGSth越大，MOS越不容易打开
3.芯片面积越大，Rdson越小，寄生电容越大。对于403002和403008来说
403002：6.3mΩ/125pF
403008：2.5mΩ/340pF

靓仔 发表于 2022-11-30 18:47:59

学习了，受益匪浅
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